TFT (Thin Film Transistors) à base de Silicium déposé microcristallin

Date : 2005

Type : ter

Formation : M1 EEA

Auteur(s) : Olivier Menard et Raphael Proust

Mots Clefs

Resumé

L’objectif principal de notre projet est de fabriquer des TFT (Thin Film Transistor) à l'aide de Silicium microcristallin non pas sur un substrat en silicium comme c’est couramment le cas pour les composants dits classiques mais sur un substrat (support) de type verre. Car ces transistors se destinent principalement aux écrans plats dits TFT à matrice active. De tels substrats impliquent une technologie bien particulière, différente de celle utilisée pour les transistors à base de silicium monocristallin. Tout d’abord en terme de température, car les substrats utilisés ne supportent pas les trop hautes températures (au-delà de 600°C). Puis le silicium en lui-même, qui n’est ni oxydé, ni épitaxié (croissance contrôlée), mais déposé. Enfin la gravure qui s’effectue sous un plasma gazeux. Les autres étapes sont semblables à toutes les technologies. La dernière phase du projet consiste à caractériser ces transistors (mobilité, pente sous le seuil…), sachant que pour une utilisation précise, l’une ou l’autre des caractéristiques sera primordiale.

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