Réalisation et caractérisation de TFT pour deux dépôts d'oxyde de grille (APCVD & PECVD)
Mots Clefs
Resumé
Lobjet de notre étude porte sur les transistors en couches minces (Thin Film Transistor) réalisés sur substrat de verre à basse température (<600°C). Ce projet professionnel à pour but de déterminer les effets de deux procédés de dépôt doxyde de grille sur les caractéristiques électriques.
Les procédés utilisés sont :
PECVD (Plasma Enhanced chemical vapor deposit)
APCVD (Athmospheric pressure chemical vapor deposit)
Les caractéristiques cherchées :
La tension de seuil VT
La pente gm (la transconductance du transistor)
La pente 1/S(pente sous le seuil)
Le rapport Ion/Ioff
La mobilité µ
Voir aussi :
- Réalisation et caractérisation de transistors en couches minces à basse température (< 600°C)
2005 | ter | M1 EEA | Anthony Bellebon - TFT (Thin Film Transistors) à base de Silicium déposé microcristallin
2005 | ter | M1 EEA | Olivier Menard et Raphael Proust - Réalisation d'une diode P+N
2011 | projet | L3ET | Tugdual Beaujean et Mohamed Daherabdi - Application et amélioration d'une jonction P+N
2011 | projet | L3ET | David Briand , Briand David et Benjamin Leclerc - Réalisation d'un transistor hyper-fréquences
2011 | projet | L3ET | Sophie Hermy et Mohamed Mohd Mokhtar Nazrul - Efficience énergétique
2010 | stage | M2 IDBCI (ex ITEA) | Matthieu Carro - Elaboration d'une offre technique et commencial de service à l'efficacité énergétique et énergies photovoltaïque
2010 | stage | M2 IDBCI (ex ITEA) | Sosthene-Junior Sokony