Réalisation d'un transistor hyper-fréquences

Date : 2011

Type : projet

Formation : L3ET

Auteur(s) : Sophie Hermy et Mohamed Mohd Mokhtar Nazrul

Mots Clefs

Resumé

Le projet actuel a pour objectif d'examiner le comportement du canal vis-à-vis des signaux hyper-fréquences en étudiant plus particulièrement la vitesse de propagation dans le canal. Les transistors hyper-fréquences réalisés jusque là étaient en mode circuit c'est à dire en mode localisé. Nous proposons de réaliser un transistor en mode distribué raison pour laquelle nous avons réalisé un transistor de taille centimériqe (longueur du canal). Le canal de ce transistor est dans notre démarche de modélisation, assimilé à une ligne de transmission appelée " micro ruban" ou encore "microstrip". A la différence avec la ligne micro ruban classique réalisée en technologie imprimée, notre canal est réalisé en technologie microélectronique, ce qui induit plusieurs contraintes géométriques et de transmissions à résoudre au niveau des connecteurs entre la ligne et le dispositif de mesure.

Notre but est de réaliser un transistor qui est in-habituellement grand, de taille centimétrique. Et de voir son comportement en appliquant un signal hyper-fréquence sur le canal du transistor. Nous devons donc simuler un transistor répondant aux demandes, c'est à dire qu'il est une taille entre 2pouces ou 3 pouces, et ayant une petite résistance de canal.

Voir aussi :