REALISATION D’UNE JONCTION P+ N

Date : 2010

Type : projet_lic

Formation : L3ET

Auteur(s) : Florent Guenegou et Mouhamadou Ndiaye

Mots Clefs

Resumé

Ce projet s’inscrit directement dans la lignée du cours Physique des Composants suivi au 1er semestre. Il s’agit ici de réaliser une diode P+N à partir d’un substrat en silicium, la finalité restant la caractérisation électrique de la jonction (tension de seuil, tension de claquage, rendement…) et ses applications envisageables. Une diode est créée en accolant un substrat déficitaire en électrons (semi-conducteur type P, trous majoritaires) à un substrat riche en électrons libres (semi-conducteur type N, métal).

Le projet comprend ainsi l’ensemble des étapes de réalisation, accompagné des différents tests validant l’avancement de la diode. Ce projet a également permis de mettre en évidence les exigences d’un processus expérimental (concentration de particules, la température, l'humidité et la pression…), sans considérer toutefois toute optimisation technologique pour sa réalisation.

Pas de poster

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