Réalisation d'une diode P+N

Date : 2009

Type : projet_lic

Formation : L3ET

Auteur(s) : Martin Gallienne

Mots Clefs

Resumé

Le but de ce projet est de réaliser une diode P+N. Une diode est créée en accolant un substrat riche en électrons libres (semi-conducteur type N, métal) à un substrat déficitaire en électrons (semi-conducteur type P, trous majoritaires). Ceci me permettra de connaître toutes le étapes de réalisation d'une telle diode, des différents test possible afin de valider les étapes de réalisation. Une telle diode est réalise dans un environnement particulier : une salle blanche. La réalisation de cette jonction m'a permis de découvrir cet environnement et ces contraintes : la concentration de particules, la température, l'humidité et la pression sont maîtrisés afin de minimiser l'introduction de particules à l'intérieur, une combinaison spécial est obligatoire pour y entrer. Ce projet comprend également une partie « théorique » sur le fonctionnement physique d'une diode qui me permettra de comprendre d'où sont issu les caractéristiques connues qui me permettra de mettre en œuvre les connaissances acquises en physique des composants.

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