Conception et simulation électromagnétique d’un transistor PMOS
Mots Clefs
Resumé
Réaliser un transistor de taille centimètrique pour pouvoir le tester en haute fréquence. Le but de ces tests est de pouvoir réaliser un transistor de puissance en haute fréquence malgré les problèmes liés à ces fréquences.
Dabord nous devons le concevoir cest pourquoi nous allons le modéliser en ligne micro rubans et le simuler sous Ansoft Designer ainsi pour le dimensionner et ainsi ladapter en impédance. Il existe des contraintes tels que le support et ainsi que lajout de composants montés en surface ( transistors et condensateurs) qui nous limitent sur la dimension du transistor. Leffet des capacités parasites au niveau du recouvrement grille-drain et grille-source typique au technologie MOS devra aussi être simulé car elles posent des problèmes en hautes fréquences lorsque le canal nest pas conducteur. En parallèle un support avec des connecteurs SMA pour réaliser les tests a été conçu.
Voir aussi :
- Réalisation d'un transistor hyper-fréquences
2011 | projet | L3ET | Sophie Hermy et Mohamed Mohd Mokhtar Nazrul - Amplificateur Classe D
2011 | projet | L3ET | Briuc Kermarrec , Florent Toupet et Niu Zhengjie - Un objet communicant protégé industriellement
2005 | projet | M2 IDBCI (ex ITEA) | Gregory Beccart et Jonathan Steimetz - Choix technologique radio et développement d'une solution pour un contrôle d'environnement pour handicapé
2011 | stage | M2 IDBCI (ex ITEA) | Thierry Gaudry - Alternance technicolor
2015 | stage | M2 IDBCI (ex ITEA) | Timothee Debailly - Réalisation et caractérisation de transistors en couches minces à basse température (< 600°C)
2005 | ter | M1 EEA | Anthony Bellebon